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    特色工艺

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SIC
碳化硅器件(Silicon Carbide)

碳化硅资料拥有高导热的资料个性,可在高温环境下正常运作 。碳化硅功率器件拥有耐高压、高频操作的优势 。碳化硅器件可改善系统效能、靠得住性,提升系统功率密度,幼型化电力电子系统 。在高靠得住性要求的工业利用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域,碳化硅资料比其他新兴资料更具显著优势并被宽泛利用 。

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PE
Inverter

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Motor Contorl

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Smart Power Grid

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Ship &
Vessels

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Windmills

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UPS

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xEV

碳化硅器件特点
  • 碳化硅肖特基二极管拥有高耐压、高导热资料个性,拥有优异的反向复原能力,可改善功率损失,提升系统的效能 。

  • 碳化硅MOSFET拥有高速开关、低导通电阻等个性,在电力电子高频利用中,能够削减导通切换的功率损失,提升整体系统效能


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SiC 平台工艺能力

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    高温离子注入

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    金属沉积

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    高温退火

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    激光退火

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    深沟槽SiC刻蚀

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    SiC栅氧

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    SiC晶圆减薄

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    自对准短沟路工艺

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    高沟路迁徙率工艺

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    零缺点筛选工艺

Roadmap

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